Семинар международной лаборатории физики конденсированного состояния: З.Д.Квон (ИФП СО РАН) "Топологические изоляторы на основе HgTe"
Мероприятие завершено
В четверг 18 мая 2017г. в 11:30
состоится научный семинар Международной лаборатории физики конденсированного состояния
З.Д.Квон (Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН)
Топологические изоляторы на основе HgTe
З.Д.Квон (Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН)
Топологические изоляторы на основе HgTe
В докладе дан обзор экспериментальных исследований двумерных и трехмерных топологических изоляторов (ТИ) на основе HgTe квантовых ям и пленок. Он состоит из двух частей: первая посвящена двумерному ТИ на основе HgTe ям с инверсным спектром, а вторая трехмерному ТИ на основе напряженной пленки HgTe. В первой части особое внимание уделено описанию экспериментов, имеющих ключевое значение для детектирования краевых токовых состояний. Подробно описывается полевая транзисторная структура, позволяющая управлять положением уровня Ферми как двумерного, так и трехмерного топологического изолятора. Приводятся наиболее интересные экспериментальные результаты, полученные с ее помощью. Если говорить о свойствах двумерного ТИ, то к ним можно отнести наблюдение нелокального баллистического и диффузионного транспорта в двумерных ТИ, магнитный пробой двумерного ТИ и аномальную температурную зависимость сопротивления краевых каналов. Если же говорить о трехмерном ТИ, то это достижение рекордно высокой подвижности поверхностных двумерных дираковских фермионов и определение благодаря этому всех его основных параметров (объемной щели, концентрации дираковских фермионов на обеих его поверхностях), а также получение информации о фазе шубниковских осцилляций, свидетельствующей о жесткой связи их спина и импульса. В заключение обсуждаются перспективы новых экспериментов.
ул.Ст.Басманная, 21/4, стр. 5, ауд.Б-312.
При необходимости заказа пропуска в НИУ ВШЭ обращайтесь к Ирине Аванесовой, iavanesova@hse.ru, сообщив ей полные ФИО.
При необходимости заказа пропуска в НИУ ВШЭ обращайтесь к Ирине Аванесовой, iavanesova@hse.ru, сообщив ей полные ФИО.
Дата
18 мая
11:30
Адрес
Ст.Басманная ул., 21/4, стр. 5, ауд.Б-312
В статье упомянуты