• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Мероприятия

Семинар международной лаборатории физики конденсированного состояния: З.Д.Квон (ИФП СО РАН) "Топологические изоляторы на основе HgTe"

Мероприятие завершено

В четверг 18 мая 2017г. в 11:30

состоится научный семинар Международной лаборатории физики конденсированного состояния

З.Д.Квон (Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН)

Топологические изоляторы на основе HgTe

В докладе дан обзор экспериментальных исследований двумерных и трехмерных топологических изоляторов (ТИ) на основе HgTe квантовых ям и пленок. Он состоит из двух частей: первая посвящена двумерному ТИ на основе HgTe ям с инверсным спектром, а вторая трехмерному ТИ на основе напряженной пленки HgTe. В первой части особое внимание уделено описанию экспериментов, имеющих ключевое значение для детектирования краевых токовых состояний. Подробно описывается полевая транзисторная структура, позволяющая управлять положением уровня Ферми как двумерного, так и трехмерного топологического изолятора. Приводятся наиболее интересные экспериментальные результаты, полученные с ее помощью. Если говорить о свойствах двумерного ТИ, то к ним можно отнести наблюдение нелокального баллистического и диффузионного транспорта в двумерных ТИ, магнитный пробой двумерного ТИ и аномальную температурную зависимость сопротивления краевых каналов. Если же говорить о трехмерном ТИ, то это достижение рекордно высокой подвижности поверхностных двумерных дираковских фермионов и определение благодаря этому всех его основных параметров (объемной щели, концентрации дираковских фермионов на обеих его поверхностях), а также получение информации о фазе шубниковских осцилляций, свидетельствующей о жесткой связи их спина и импульса. В заключение обсуждаются перспективы новых экспериментов.

ул.Ст.Басманная, 21/4, стр. 5, ауд.Б-312.

При необходимости заказа пропуска в НИУ ВШЭ обращайтесь к Ирине Аванесовой, iavanesova@hse.ru, сообщив ей полные ФИО.